一、課程說明(Course Description)
本課程計有八個實驗單元：
1.非揮發性電阻記憶體,
2.電子束沈積Ni薄膜於半導體材料製程之研究,
3.無電鍍Cu薄膜,
4.濺鍍Cu薄膜,
5.高記錄密度磁儲存媒體之製備與研究,
6.有機電致發光元件製作
7.射頻電漿高分子化聚合特殊高分子薄膜
8.電漿氣相沈積AlN薄膜.
各單元實驗內容包括:
(1)材料系統及（或）製程原理解說,
(2)製程及性質量測實驗示範,
(3)實作練習,
(4)薄膜性質量測等。
以製程技術而言，課程內容包括了電子束沈積、無電鍍、濺鍍、離子束濺鍍、真空蒸鍍、射頻電漿高分子化及電漿氣相沈積等七項製程技術。
以薄膜量測技術而言，課程內容包括了四點探針片電阻量測、a-step膜厚量測、X光繞射、表面觀察、AFM量測、光譜儀量測、FTIR量測、PL量測、樣品震盪磁測儀量測、MOKE、SEM表面觀察、I-V、CIE system、光學輝度計等，內容豐富。此外，尚有試片先處理及後處理技術等。為探索薄膜工程領域的絕佳入門實驗課程。
二、指定用書(Text Books)
講義
三、參考書籍(References)
教學VCD
四、教學方式(Teaching Method)
薄膜製程技術及薄膜材料種類繁多，其應用領域亦極多樣化，為讓同學能有較多的選擇，課程設計儘可能涵蓋最多樣的製程技術及相關基礎薄膜量測技術。本課程在教育部儀器設備經費的挹注及材料系八位教授及八組講師和助教的努力下，共同合力完成，課程內容包括六項製程技術、多項量測技術及試片處理技術等，內容豐富，為探索薄膜工程領域的絕佳入門實驗課程。
為讓同學們對各單元實驗有較深入以及實作的學習，同時顧及課程的廣度，課程設計由每位同學依個人興趣及實驗單元的互補性，選做二個單元的實驗。每一單元實驗為期六到七週，先由教授或講師講授製程原理及（或）薄膜特性及相關應用，再由講師介紹製程及量測儀器的原理及操作方法，並實作示範，接著由同學們演練相關技術、進行薄膜製程實作及特性量測等，最後據以書寫實驗報告。
每一單元實驗，上課時間由各組講師（或助教）與組上同學們共同協調一合適時間。學校排定之上課時間僅供參考！
每一單元實驗，於實作練習時，同學們將進一步分成小組，各小組依據講師給予的製程參數，進行薄膜製程實驗，每一小組實驗參數不同，實驗結束後，不同小組將共享實驗數據，但自行書寫實驗報告，並於實驗結束兩星期內繳交實驗報告。薄膜製作完成後的量測實驗，將視實際情況由同學們自行操作設備或由講師們協助量測。
五、教學進度(Syllabus)
同學們分組輪作不同薄膜實驗，每一實驗單元為期7週。
每位同學將選做二單元的實驗。
課程時間表（日期尚未決定）：
2/27（五）：課程介紹、實驗室參觀
3/2（一）：繳交選組志願表
3/4（三）：分組確認
3/5-3/13（四～五）：各組協商實驗時間
3/13（五）：薄膜製程VCD影片觀賞（材料科技館216室）
3/16-5/01（七週）：上半學期實驗
5/04-6/19（七週）：下半學期實驗
六、成績考核(Evaluation)
各單元實驗平均成績將調整成相同。
每一實驗單元的評分方式如下：
1. 實驗態度(20%)
2. 實驗操作(30%)
3. 實驗報告(50%)
再以選做的二實驗單元的平均得分做為學期末成績。
七、可連結之網頁位址
由講師影印發放給同學。