一、課程說明(Course Description)
課程大綱:
1. 真空技術(11小時)
1.1. 真空排氣系統
1.2. 原子及分子於表面上的吸附
1.3. 釋氣
2. 表面結構及熱力學(7小時)
2.1. 古典熱力學處理方式
2.2. 統計熱力學處理方式
2.3. 表面再建構
3. 質點與表面交互作用(13小時)
3.1. 原子與表面碰撞:居住及黏滯係數
3.2. 表面擴散
3.3. 高能質點碰撞:濺鍍理論、表面破壞、反彈佈植及混合
3.4. 電子、離子碰撞引致的表面化學
4. 電漿放電基本原理(13小時)
4.1. 電漿之碰撞行為
4.2. 電子分佈函數
4.3. 電漿電位、電漿鞘區
4.4. 磁場效應
4.5. 電漿與表面交互作用
4.6. 輝光放電形式:直流、交流及微波
5. 薄膜製程法的主要運作原理(1小時)
5.1. 蒸鍍
5.2. 濺鍍
5.3. 化學氣相蒸鍍
5.4. 電漿輔助化學氣相蒸鍍及蝕刻
二、指定用書(Text Books)
1. 隨堂講義及隨堂參考資料
2. "A User's Guide to Vacuum Technology"
by J. F. O'Hanlon
(John Wiley & Sons, New York, 1980)
三、參考書籍(References)
請至圖書館教師指定參考書目處查閱
四、教學方式(Teaching Method)
每星期三小時由任課教師於課堂上講授,學生若有問題可隨時於課堂上發問並討論,亦可於課後與教師約定時間進行討論。上課時將不定期點名,以提高同學出席率,並敦促同學們盡量把握上課學習機會。學期中將有不定期作業、點名及二次大考,包括一期中考及一期末考,以了解學生學習情況。
助教資料:
姓名:蕭肅競(演習課、作業批改)、吳貴兆(課堂)、王磊善(課堂)
辦公室:材料科技館326-2室
辦公室電話:分機42613
電子信箱: raiven70275@hotmail.com,wuakuei@gmail.com ,
JSL_S205@hotmail.com
五、教學進度(Syllabus)
1. 真空技術:11小時
2. 表面結構及熱力學:7小時
3. 質點與表面交互作用:13小時
4. 電漿放電基本原理:13小時
5. 薄膜製程法的主要運作原理:1小時
六、成績考核(Evaluation)
1. 作業(10%)
2. 點名(10%)
3. 期中考(05月06日,40%)
4. 期末考(06月24日,40%)
5. 上課表現額外加分(6%)
七、可連結之網頁位址
上課發放講義之
網路精簡版參見http://140.114.?.?/?